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近年來，下代氧化物半導體作為下一代存儲架構(gòu)的存儲材料潛力材料受到廣泛關(guān)注，其關(guān)鍵優(yōu)勢在于可實現(xiàn)與后端互連工藝（BEOL）兼容的下代邏輯與存儲器件。本文報道了基于氧化物半導體溝道的存儲材料 BEOL 存儲器件在近期取得的進展與面臨的挑戰(zhàn)，包括類 DRAM 的下代 1T-1C 存儲單元、無電容增益單元以及非易失性鐵電場效應晶體管（Ferroelectric FET）。存儲材料文章分析了氧化物溝道的下代關(guān)鍵特性，重點關(guān)注在材料與器件工藝技術(shù)方面的存儲材料進展，這些進展有助于提升存儲器的下代核心指標，如耐久性、存儲材料數(shù)據(jù)保持特性以及可擴展性。下代這些研究結(jié)果為優(yōu)化基于氧化物半導體的存儲材料存儲器件、以滿足下一代應用需求，下代提供了有價值的存儲材料參考。 下代引言 |